Matagumpay na nailapat ang microchip ultrafast laser crystal sa photoelectric area

Nag-aalok ang Coupletech ng microchip Laser Crystal para sa disc laser. Ang mga epekto ng thermal lens na ginawa sa maginoo na semiconductor-pumped solid-state na mga laser ay nagreresulta sa mababang kalidad ng laser beam at nililimitahan ang power output. Ang kapal ng microchip laser medium ay karaniwang mas mababa sa 1mm. Sa ilalim ng mga kondisyon ng unipormeng pumping at paglamig, ang daluyan ng daloy ng init ay humigit-kumulang isang-dimensional na pagpapadaloy na patayo sa ibabaw ng wafer, na pinapaliit ang epekto ng thermal distortion na dulot ng thermal lens effect. Ang microchip laser ay maaaring mag-output ng mataas na kalidad ng beam (TEM00 Gaussian mode) at monochromaticity (single longitudinal mode, line width na mas mababa sa 5kHz) laser, na napakahalaga sa larangan ng komunikasyon, pagsukat, medikal na paggamot, pagproseso ng industriya, siyentipikong pananaliksik at militar mga aplikasyon. aplikasyon.

Ang Coupletech ay nagbibigay ng lahat ng uri ng laser crystal kabilang ang Nd:YVO4, Nd:YAG, Diffusion Bonded Composite Crystal, Nd:YLF, Yb:YAG, Cr:YAG, at ang kanilang micro-disc crystal. hal. ultra-thin Nd:YAG+Cr:YAG crystal ay karaniwang ginagamit para sa disc ultrafast laser, at ito ay dinisenyo para sa napakaliit na volume para sa fs laser at ps laser. Ngayon parami nang parami ang mga bagong uri ng laser crystal ay lumitaw, ang Yb doped laser crystal ay may bagong miyembro, ibig sabihin, ang pananaliksik ay nagpapakita na ang isang bagong konsepto ng “strong field-coupled Yb3+ ion quasi-four-level system†—gamit Ang malakas na field coupling ay nagpapataas ng energy level ng Yb3+ ion splitting, binabawasan ang proporsyon ng mainit na populasyon sa ilalim ng laser, at nakakamit ang Yb3+ ion quasi four-level laser operation. Piliin ang Yb na may pinakamataas na thermal conductivity (7.5Wm-1K-1) at ang tanging negatibong refractive index temperature coefficient (dn/dT=-6.3 Ì 10-6K-1) sa positibo at negatibong silicate na kristal: isang bagong uri ng Ang kristal na Sc2SiO5 (Yb:SSO) na kristal ay pinalaki ng pamamaraang Czochralski. Ang crystal laser output at ultrafast laser output ay ipinatupad, Yb:SSO microchips na may kapal na 150 μm ay ginamit upang makamit ang 75W (M2<1.1) at 280W high beam na kalidad, high power continuous laser output 298fs. Kamakailan, isang 73 fs mode-locked ultrafast laser output ang ipinatupad sa kristal na ito.